在正偏pn结的n区,电子进入p区

你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合

P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建

这应该是跟他们的带电性相关的,电子带负电（negative）,所以用N表示,空穴带正电（positive）,所以用P表示.

N区中每一点电势都相等.参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

扩散运动是由于载流子浓度分布不均衡,而产生的沿浓度梯度方向的运动,P区的空穴向N区扩散;N区的电子向P区扩散.

只有这样才能形成从p到n的电流啊再问：我不明白的是：假如在P区的杂质是硼，硼与硅之间形成共价键，但这负离子怎么产生的？再答：这……所以半导体不会用这两种材料啊再问：P型半导体一般都是用磞元素和硅弄的。

电流方向是电子的反方向啊,这是电致发光的原理吧.

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

你忽略了重要的一点.你只考虑了PN结两端的情况.但是不要忘了,如果要导电的话,电子还要流过PN结的中间部分.现在PN结是反接的,所以对于PN结,外电场是向左的（你图上也画了）,而P区空穴才是多子,电子

1-假如导体与p区没有形成PN结.“.p区的电子是如何流向导体的”.答：在pn结节加正向电压的时候,n区的多子（自由电子）获得能量,越过pn结的势垒从n区流向p区.在p区的自由电子一边与p区的空穴复合

一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称.PN结有同质结和异质结两种.用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结,

反向电流的主要成分是耗尽区边界的少子扩散电流和耗尽区的产生电流；正向偏置的PN结中N区电子通过扩散进入P区,在P区边扩散边与P区空穴复合,而空穴由电极处补充,从而转化成空穴电流.电子进入P区形成的是电

1.单独的P区变了非本征半导体,半导体内以空穴导电为主.2.初中高中物理上是很经典的说法.电子导电,空穴也能导电.只不过电子带负电荷空穴带正电荷.3.宏观上说,PN结正向电阻较低,反向电阻很高是造成反

高单向导通性正向,反向越大小,大脉动,相同并3V偏置电阻一半

1、高2、单向导电性3、反射结正偏集电结反偏5、基集电流集电基电流6、单向脉动7、并8、正向9、静态参数会的我都已经回答了,有几个不会,不好意思

虽然没看到你的图在哪里,但我猜那个正负符号应该是指离子.P型材料、N型材料本身是电中性的.二者接触后,P型部分区域的空穴被复合,P区带负电；N区的电子被复合后带正电.PN结对外仍然是电中性的.

扩散运动是指在热运动作用下,分子系有高浓度向低浓度扩散的趋势.而在外电场作用下电荷有定向移动的趋势.你仔细分析这两种趋势,不难得出结论.需要指出的是总的结果是两种作用综合而引起的,不要混淆就行了.我想

P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子

一个二极管是由一个PN结的半导体元件,电流是从P流向N.三极管是由二个PN结的半导体元件,分为PNP和NPN两种形式,当其达到导通条件时,NPN三极管的电流是从C极流向E极,反过来,PNP三极管的电流

先要知道～Si掺杂入3价元素就是P区,掺杂入5价元素就是N区．然后应该这么理解～PN结加正相电压,使空间电荷区减小,有利于多子的扩散,P区多子是空穴,少子是电子,N区多子是电子,少子是空穴．反之,当P