怎么看电路中的MOS管是N

问题1,AO3401在这个电路中的作用：是的!AO3401在这个电路中是起到开关作用,当VBUS端输入低电平时,Q101P沟道VMOS管AO3401的2脚栅极也为低电平,于是,1脚D漏极与3脚源极之间

Vgs代表开启电压

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管,有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间

简单地讲就是用栅极G电压的高低变化来控制源漏的导通和截止（通和断）.

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个

图中的R2和R1没有必然的联系,可以独立设置.你说的是不是LM358的放大比设定?R5/R4?R5/R4是LM358的放大比,比值越大LM358的输出电压高越高,MOS管的输出电流（LED的电流）也就

1.Q5为NMOS管,R12为限流电阻（或是偏置电阻）,源漏之间的二极管为保护二极管.2.源极接地,电压为0,当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时,就可在源漏之间形成

1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的.2、第三个式子是从第二个推导出来的.3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了.具体过程是这样的.（1）首先设定UDS

mos管的栅极电压很高,单片机的输出无法使它导通,应加高电压用一个三极管与它复合后使用,但这么做也太麻烦太不值了,还不如直接只用一个三极管来做控制开关了?3w的led灯电流在600-700mA,电流较

测量短路本来就不应该通电或者在线测量,表会响只能说明有电流流过万用表,不能说明是管子短路造成的.

电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小,同时也会引起效率下降.峰峰值和过电压的尖峰不是一回事.

G不用高于DG一定要高于Gth电压就是G导通的门限电压其实G应该高于Gth+S的电压

是的GDS规格书上是有图的

这个东西在国内教科书里没有,必须找国外教科书才行.我印象中,20世纪50年代,美国的AT&T公司在研究FET特性时,利用过一个水闸模拟JFET控制机理的研究,这时把控制水闸（其实就是个水龙头）的开关认

电阻很难做进芯片内,体积也大,恒流源的作用和电阻一样,但可以用半导体做,能做到芯片内.

这是一个控制电源通断的电路.AO3401是增强型PMOS,简单来说,当Vgs(即Q7的1-2间电压)有一个负压时,Q7就会导通,对于AO3401来讲,完全开通电压大约为-10V,但-3.3V也可以基本

MOS管,没用过,不知道怎么用,不过,振荡的频率都是和RC的时间常数有关系的,和输出没有什么关系的吧既然你都是用的RC,那就是频率并不高了,干脆用一个运放就可以了.电路好找,资料也好找

MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2,算的时候注意单位统一,需要指出的是,你那单位面积的电容算错了,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中

CMOS电路组成是以PMOS管作为驱动管,以NMOS管作为负载管.CMOS电路指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺,它的特点是低功耗.由于CMOS中一对MO

有可能直流电机调速如充电手电钻,有损坏的电路板图片可能更清楚.再问：如果是调速，那mos管为什么是一个单独驱动，另外两个单独驱动呢？电路板是用强酸腐蚀环氧树脂腐蚀出来的，已经完全损坏，而且电路板做工不