故障电路板中的晶体管的集电极和发射极之间的正反向阻值都应大于多少千欧

基极电流比集电极的大说明晶体管没工作,工作后测测出数据才有用.放大倍数=Ic/Ib.

你先量一下电压,有极性电容,正极接电压高的一端,负极接电压低的一端即可.

两个电容都是电源滤波电容,以防止直流电源产生交流干扰.E2容量较大,用来吸收低频干扰,C5容量较小,用来吸收高频干扰.再问：产生交流干扰？什么原因？在问您一句数字地和模拟地有什么区别呢再答：交流干扰主

洗衣机、电冰箱子—电压220V,电流1.2-1.6A;电视机——电压220V,电流0.6A；空调——电压220V,18A；晶体管收音机——电压1.5V-6V,20-200mA；电子钟——1.5V2mA

在三极管放大电路中,从三极管的集电极到基极所加的电容称为负反馈电容.这个电容能起到对放大电路的稳定作用.其主要目的是消除放大电路的高频自激所引起的啸叫（在低频放大电路中,高频放大电路的自激人耳听不到）

当Rb2短路时,三极管处于饱和状态,其发射极输出Ue=12V-0.7V=11.3V,集电极输出为Uc=Ue+0.3V=11.6V,相当于一个输入电压为12V但输出电流被限制在2μA以内的的射极跟随器.

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

我是这样认为的,你说的应该是集电极输出电路,以NPN管为例,这种电路的特点是在集电极C和电源+E之间要接入一个电阻,通常我们称这个电阻为集电极负载电阻,当基极为正时（由0到正）,因为三极管的放大作用,

主要是通过电流分配关系.IE=IC+IB,IC=βib,改变基极电流,也就改变了集电极电流.其实也可以采用基尔霍夫电流定律来计算.

应该到datasheet中查,而不是计算,除非你是设计晶体管

是的.输入、输出是这样的.第二个问题是输入电阻不应该是输入电压除以输入电流么考虑RB电阻这点我想不明白你看上面的图就知道了：Ii=ib,这个计算也是没考虑RB电阻的,也是算的后面的等效电阻.所以就这样

半导体收音机是70年代的称呼,80年代以后改称晶体管收音机

多发射极晶体管一般用作为TTL电路中的第一个管子,它有两种重要的作用：（1）提高电路速度：因为当电路由开态转变为关态时,多发射极晶体管即首先进入过饱和状态,然后才驱使其后面的晶体管截止,故多发射极晶体

这个说不准,工厂不一样标准不一样,比如说2平米以上算批量,比如说5000元以上算批量!

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

四句口诀：“三颠倒,找基极；PN结,定管型；顺箭头,偏转大；测不准,动嘴巴.”下面让我们逐句进行解释吧.1：三颠倒,找基极大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件.根据两个PN结连接方式不同,可以

这个题目挺有意思.答案是A.你存在的问题是：在分析的时候,自动加了个条件,也就是三极管处于放大状态,也形成了电流,而这个题目里面,丝毫看不出有这个前提条件.如果只是集电极发射极加电压,其实这个三极管是

晶体管再放大状态下,发射极电流是多数载流子扩散运动形成的,集电极电流是基区非平衡少子漂移运动形成的

首先纠正你的说法：“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce.是集电极到发射极的电压.你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc,这种关系才成立.Rc两端

集电极电压大于基极,才能把电子从晶体管的发射极极运送到集电极极,实现小信号放大,如果集电极电压低于基极,发射极的电子全部通过基极而不进入集电极,晶体管就失去了放大作用