电荷线密度为λ,半圆形的带电体.半径为R,求O点的电场强度.电势.
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/08/18 14:19:05
![电荷线密度为λ,半圆形的带电体.半径为R,求O点的电场强度.电势.](/uploads/image/f/6350615-71-5.jpg?t=%E7%94%B5%E8%8D%B7%E7%BA%BF%E5%AF%86%E5%BA%A6%E4%B8%BA%CE%BB%2C%E5%8D%8A%E5%9C%86%E5%BD%A2%E7%9A%84%E5%B8%A6%E7%94%B5%E4%BD%93.%E5%8D%8A%E5%BE%84%E4%B8%BAR%2C%E6%B1%82O%E7%82%B9%E7%9A%84%E7%94%B5%E5%9C%BA%E5%BC%BA%E5%BA%A6.%E7%94%B5%E5%8A%BF.)
取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/(3
高斯定理,先考虑某一根导线产生的电场以某一根导线为圆心作高为h,半径为2a的圆柱面对称性可以知道电场只能垂直于侧面因此高斯定理:E*2*pi*2a*h=h*λE=λ/(4*pi*a)那么单位长度的令一
把所有电荷都当作正电荷处理.处取微小电荷dq=dl=2Qd?/.它在O处产生场强角变化,将dE分解成二个分量:对各分量分别积分,积分时考虑到一半是负电荷=0所以:
我是假设电荷是同种的、异种的同理简单推一下就行、首先在距离左棒X出左棒产生的电场强度E为1/4πε∫dQ/r²、对于空间中距离左棒右边的点距离为R处电场强度E=1/4πε∫λdx/x&sup
这里不好书写,帮你找到了一个地址:这里边的例题8-7,具体解答了你的题目,只不过它的电荷线密度字母不是用a表示.
1题取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/
使用高斯定理,取一圆柱面,使之轴线与直细棒重合,按高斯定理有电通量Ψ=4πkq=q/ε0,Ψ=∮E·dS=E·2πrh,r为圆柱的底面半径,h为圆柱的高.又因为q=λh,所以E=λ/2πrε0=2kλ
以球心为原点建立球坐标系.设场点据原点的距离为r1对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解.ES=P/ε,其中S=4πr^2整理得:E=P/4πεr^22对于球内的点,即
点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产
电荷体密度为P,球体积V,半径r,电荷量QQ=P*V=P*(4πr^3)/3
这个题很简单啊,课本上应有推理过程.运用高斯定理,求解电场强度,然后再用积分求电势即可
弱弱得问一下、你学过电场的高斯定理吗?学过的话就好办、没学过的话还要解释一下高斯定理的证明再问:高斯定理正在学习中,所以就遇到了这个问题再答:哦哦、、我刚刚仔细想了想、这题还真不好办、是求圆环所在明面
用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)
物理书上有无限长的带电导线在线外任意一点产生的场强的公式,自己看吧那个东西实在不好打
用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)
球层的总电荷量为Q=[4Пρ(R2^3-R1^3)]/3所求电势为:V=Q/(K*r)(其中K=9.0*10^9为系数)因球层为均匀,故可用公式V=Q/(K*r)
在直线段上取一个长度l,再取一小段线长为dl,则dl所带的电荷dq=λdldV=dq/4πε0(l+x)=λdl/4πε0(l+x)V=∫(0~L)dV=∫(0~L)λdl/4πε0(l+x)=λln
E1=λ1/(2π*ε0R1),E2=λ2/(2π*ε0R2),E1-E2=λ1/(2π*ε0R1)-λ2/(2π*ε0R2)=0;R1+R2=d,解得:R1=λ1d/(λ1+λ2)