砷化镓-搜答案-百度作业网

由三角形知识可知，当由发光盘边缘A发出光与AB垂直时，入射角i最大．如果这条光线不发生全反射，则其它所有光线均不会发生全反射，由折射定律得，n＝sinγsini ①不发生全反射的

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我来解答吧,球内是对称的,我们只取其中一个截面进行分析.设我画的图中AB就是此截面的一条直径,在直径上任取一点B',由正弦定理可知,sinθ4=OC'/r ,sinθ3=OB

砷化镓晶体是一种是GaAlAs/GaAs异质结构的双极型晶体管,一种是双凹槽砷化镓MESFET,最后一种是假晶双量子砷化镓HEMT.我们已经...尽管砷化镓场效应晶体管的击穿电压小一些,但是对高频功率

目前大部分电池吸收的为可见光即400-1100nm范围内的波长

砷化镓是一种半导体材料.所以它符合传统半导体电阻率和温度的关系,就是温度升高电阻率减小.但是没有直接的数学关系式,一般都是在坐标纸上直接由曲线表示的.你可以去找相关的书籍就可以知道了.一般是电工以及物

由三角形知识可知，当由发光盘边缘A发出光与AB垂直时，入射角i最大．如果这条光线不发生全反射，则其它所有光线均不会发生全反射，由折射定律得，n=sinγsini①不发生全反射的条件是入射角小于全反射的

砷元素显-3价，设镓元素的化合价是x，根据在化合物中正负化合价代数和为零，可得：x+（-3）=0，则x=+3价．故选D．

单质和五价的砷没毒,三价的砷有毒,但单质和五价的砷亦与转化为三价的砷,所以应注意

是.它还是一种光电材料,能制造太阳能电池,转换效率比硅还要高.不过,硅是地壳中极丰富的元素,提炼十分容易,成本比砷化镓低,所以现在的太阳能电池基本是硅做的.

GaAs.黑灰色固体,熔点1238℃.在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀.砷化镓在熔点以上会缓慢分解成砷和镓,砷熔点仅有615℃,因此砷为蒸汽,剧毒!砷在空气中的最高容许浓度

二氧化硅是原子晶体,不导电,属于绝缘体.砷化镓是半导体,用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点.

在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移