PN结电容小为啥适合高频

这跟电路的实际需要是有关的.大电容,一般是电解电容,容量大,频率低,适合于低频电路.它的特性就是阻断直流,通过交流.小电容,一般的都是高频电容,容量小,高频损耗小,适合于高频电路.其实,根本的原因是电

一般说来,在反向偏压或小的正向偏压下,p-n结以势垒电容为主,只有在大的正向偏压时才以扩散电容为主.

电容容量越大通过的频率越高容抗越小；高频电容多为小容量,这不是一个概念.高频电容,是指一个电容器的高频特性非常好,这要从电容器的设计和结构上下功夫.有些电容器,比如铝电解电容器,在较低频率下工作,它是

理论上电容越大阻抗越小,频率越高越容易通过.理论是没错,（低频通不过小电容）--不是绝对通不过只是阻抗较大不容易通过(高频能不过大电容)理论上大电容高频更容易通过,只不过由于大电容制造工艺所限,一般都

容抗等于1//2派F*容量,所以,同阻抗下,频率越高,容量可以越小.另外就是对脉冲电路中,因为电容是充电后保持电压缓慢放电,负载电流越大,容量就要越大,经验是,音频信号耦合是在1U以下,高频调制在1n

电容的特性是正半周时充电,负半周时放电,高频信号频率较高,它会在负半周时没等电压放完,正半周又到来开始充电.电容容量过大,将在电容上聚集很高的电压或杂波,根本滤不下去,将传到后级形成干扰.所以只有小容

PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容.PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减

PN结结面积相当于一个电容的两端的面积,结面积小就相当于结电容小,那么带宽就会宽,高频性能好.

你都把公式写出来了.公式是对的.你的问题是不是把别人的表述理解错了?一般的表述是：对高频信号,用小容量的电容就可以得到小的容抗；对低频信号,要用大的电容量才能得到小的容抗；对吧.

因为容抗Xc＝1/2*3.14*f*C式中f很高（数字很大）无论电容为何值,Xc都接近于零,所以有小电容就足够了.

容抗用XC表示,电容用C（F）表示,频率用f（Hz)表示,那么Xc=1/2πfc容抗的单位是欧.感抗用XL表示,电感用L（H）表示,频率用f（Hz)表示,那么XL=2πfL感抗的单位是欧.知道这两个公

二极管反向的时候,PN是不导电的,而PN结两边的N区和P区是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极,PN结就成了介电材料.三极管的PN结电容效应原理和二极管是一样的.PN结的电容效应将导致反向时交

因为电容中,介质内部的（原子核最外层）电子,在平衡位置就像悠秋千似的.频率越高,作用在电子的时间越短,这样只要有一点（一点）能量,就会像秋千一样的使电子产生往返运动.而频率越低,作用在电子的时间越长,

二极管反向的时候,PN是不导电的,而PN结两边的N区和P区是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极,PN结就成了介电材料.三极管的PN结电容效应原理和二极管是一样的.PN结的电容效应将导致反向时交

PN结具有电容效应,一般用（势垒电容）及（扩散电容）来等效；

首先理解pn结形成后的电荷状态吧.在电荷区靠P区的是聚集负电荷,在电荷区靠N区是聚集正电荷.此时,电荷区的内部电场方向是由N区指向P区.当PN结正向偏置时,即给PN结加由P区指向N区的正向电压,那么这

电容越小,通过的频率越高.电容越大,通过的频率越低.最后到直流就不能通过了.电容可以看做是两个不接触的金属平板,用欧姆表测量,电阻是无穷大的.所以不通直流电.两端加直流电,金属板会分别聚集正电荷与负电

用在工作频率较高的场合时

结电容就相当于并联在两个结的一个电容,是由于pn结的面积形成的一个电容.在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现

这句话不对.在电容一定的情况下,频率越高,越容易通过.在频率一定的情况下,电容越大,越容易通过.