关于增强型mos管（N沟道）的一些问题

来源：学生作业帮编辑：百度作业网作业帮分类：综合作业时间：2024/08/16 18:53:59

关于增强型mos管（N沟道）的一些问题
为什么要将源极和衬底连接,难道衬底和源极不会中和吗?
为什么栅源之间不加电压时,及时漏源之间加电压也不会有漏极电流?漏源极和衬底不是组成一个三极管吗?这里所说没有漏极电流是电流极小忽略了还是根本就不存在?
为什么反型层漏极先出现夹断?
求指教,

1. 源极和衬底连接是MOS管的一种用法.两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压,pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡,pn结上总电流为零.
2. 栅源不加电压时,沟道不开启,不会有漏源电流.漏-衬底-源寄生三极管无电流的原因是：在正常工作条件下,衬底（寄生三极管基区）电势最低,因此寄生三极管亦无电流.
3. 当漏极电压增加,栅极-漏极间电势差将减小,当其减小到小于阈值电压时,漏极附近的反型层将夹断.
再问：谢谢你的回答，你可以帮我看看http://zhidao.baidu.com/question/502239723.html?quesup2 这道题吗？谢谢了，还有你知道什么比较好的电路分析书吗，类似高中参考书那种，不是仅仅讲基础知识，我现在学模电感觉好多都是卡在电路上，像遇到接地现象，或者应用戴维宁，就比较晕，
再答：拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》是国内名气比较大的一本书。
再问：这本书是不是就是模电？
再答：是关于模电设计的

4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管) N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极... 比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... 结型绝缘型、P沟道N沟道、加强型耗尽型MOS管 N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的大家推荐一个导通电阻很小的P沟道mos管撒,N沟道也讲几个. 一个555定时器三个N沟道的MOS管,最有可能是什么电路? 求推荐一P沟道的MOS管! 这是一幅结型N沟道的MOS管作为可变电阻电路图,请问ui增大时,uo是怎样变小的? N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏 N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?