(2012•丰台区二模)如图,光滑斜面的倾角为θ,斜面上放置一矩形导体线框abcd,ab边的边长为l1,bc边的边长为l
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A.线框进入磁场前运动的加速度为
Mg−mgsinθ |
m |
![(2012•丰台区二模)如图,光滑斜面的倾角为θ,斜面上放置一矩形导体线框abcd,ab边的边长为l1,bc边的边长为l](/uploads/image/z/17849355-51-5.jpg?t=%EF%BC%882012%E2%80%A2%E4%B8%B0%E5%8F%B0%E5%8C%BA%E4%BA%8C%E6%A8%A1%EF%BC%89%E5%A6%82%E5%9B%BE%EF%BC%8C%E5%85%89%E6%BB%91%E6%96%9C%E9%9D%A2%E7%9A%84%E5%80%BE%E8%A7%92%E4%B8%BA%CE%B8%EF%BC%8C%E6%96%9C%E9%9D%A2%E4%B8%8A%E6%94%BE%E7%BD%AE%E4%B8%80%E7%9F%A9%E5%BD%A2%E5%AF%BC%E4%BD%93%E7%BA%BF%E6%A1%86abcd%EF%BC%8Cab%E8%BE%B9%E7%9A%84%E8%BE%B9%E9%95%BF%E4%B8%BAl1%EF%BC%8Cbc%E8%BE%B9%E7%9A%84%E8%BE%B9%E9%95%BF%E4%B8%BAl)
A、线框进入磁场前,对整体,根据牛顿第二定律得:a=
Mg−mgsinθ
M+m.故A错误.
B、C设线框匀速运动的速度大小为v,则线框受到的安培力大小为F=
B2
l21v
R,根据平衡条件得:F=Mg-mgsinθ,联立两式得,v=
(Mg−mgsinθ)R
B2
l21,匀速运动的时间为
t=
l2
v=
B2
l21l2
(Mg−mgsinθ)R.故BC均错误.
D、线框进入磁场的过程做匀速运动,M的重力势能减小转化为m的重力势能和线框中的内能,根据能量守恒定律得:焦耳热为Q=(Mg-mgsinθ)l2.故D正确.
故选D
Mg−mgsinθ
M+m.故A错误.
B、C设线框匀速运动的速度大小为v,则线框受到的安培力大小为F=
B2
l21v
R,根据平衡条件得:F=Mg-mgsinθ,联立两式得,v=
(Mg−mgsinθ)R
B2
l21,匀速运动的时间为
t=
l2
v=
B2
l21l2
(Mg−mgsinθ)R.故BC均错误.
D、线框进入磁场的过程做匀速运动,M的重力势能减小转化为m的重力势能和线框中的内能,根据能量守恒定律得:焦耳热为Q=(Mg-mgsinθ)l2.故D正确.
故选D
如图光滑斜面的倾角α=30°,在斜面上放置一矩形线框abcd,ab边的边长l1=1m,bc边的边l2=0.6m,线框的质
如图所示,通电导体ab长为L,质量为m,水平的放置在倾角为θ的光滑斜面上,通以电流,电流强度为I,要求导体ab静止在斜面
(2014•虹口区二模)如图所示,边长为L、总电阻为R的正方形线框abcd放置在光滑水平桌面上,bc边紧靠磁感强度为B、
光滑斜面的倾角为θ,长为L.斜面上端有一小球沿斜面水平方向以v0速度抛出,如图.
(2014•丰台区二模)如图所示,可视为质点的物块A、B、C放在倾角为37°、足够长的光滑、绝缘斜面上,斜面固定.A与B
在倾角a的好光滑绝缘斜面上,有一平行底边通电直导体ab,电流为I,棒长为L,质量为m.要是棒静止时对斜面的压力恰好为零,
如图所示,在倾角为α的光滑斜面上,垂直纸面放置一根长为L,质量为m的直导体棒.当导体棒中的电流I垂直纸面向里时,欲使导体
(2013•连云港三模)如图所示,在倾角为θ的斜面上放置一内壁光滑的凹槽A,凹槽A与斜面间的动摩擦因数μ=32tanθ,
如图小车从倾角为θ的光滑斜面上滑下
【高二物理磁场】如图所示,在倾角为α的光滑斜面上,水平放置一长为L、质量为m的直导线,通已从A到B得电
2、如图,质量为M,倾角为θ的斜面体置于粗糙的水平面上,一质量为m的木块正沿光滑斜面减速上滑,且上滑过程中斜面体保持静止
(2006•淮安一模)如图,在光滑的倾角为θ的固定斜面上放一个劈形的物体A,质量为M,其上表面水平且粗糙.质量为m的物体