晶体管放大电路如图所示,β=40,UBE=0.7V

分析：T1为电流串联负反馈共发射极电路,T2为射极跟随器,故2管放大倍数就为T1的放大倍数.1、Au=-79*6000/(1000+80*300)=139.4=1402、Uo=10*140=1400m

这是放大线路设计公式Rbe是三极管B到E的内阻rbb是三极管基区体电阻RL是负载RC是集电极电阻AV是放大倍数Beta是放大倍数（就是那个和B一样的）Ri输入阻抗Rb是基极串入电阻R0是输出阻抗这个公

1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a

注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差（1+β）倍.IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-UbeIe=(1+β)IbUce=Ucc-IeRe根据三条公式可分析出三极管的工作方式截止状态：

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

1、饱和时Uce很小,就是饱和了0.3左右,截止时Uce很大,等于电源电压2、输入电阻有影响,偏置越大,越小,输出端的外界电阻改变了,输出电阻当然要变

增加集电极的负载电阻同时提高电压.换用HFE更高的晶体管.减小本级负反馈.

在射电路中,从基极注入基极电流从发射极流出,放大的电流从集电极流入从发射极流出

分压比α=Rb2/(Rb1+Rb2)=24/(51+24)=0.32基极偏置电源等效电动势Ub=αUcc=0.32×12V=3.84V基极偏置电源等效内阻Rb=Rb1//Rb2=24×51/(24+5

Ie=[(5/30)*12]-0.7/(300+1000)=1mArbe=rbb'+(1+β)26/Ie≈200+100*(26/1)=2.8K

同一点接入为并联,不同节点接入为串联

只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!

可以把一些器件变换一下,比如,电容相当于短路,电源与地当成同一个点,即同电势点.这样基本就差不多了,最好用一个例子来说明,建议看一下这方面的书,通常介绍的很详细,如果还不明白,一起研究研究

静态工作点根据电路图的直流通路来算,IBQ~VCEQ~IEQ；电压放大倍数：先根据电流放大系数求出输出电压和输入电压,最后求Av；输入输出电阻要根据电路图来画小信号模型,然后计算怎么说,你没图啊

1、静态时,ui=0,Ee=Ib*R1+Ube+(RW/2+Re)*Ie,因为Ib很小,Ube=0.6——0.7v,RW=100Ω,∴Ee=Ie*Re≈E=15v,Ie=Ie1+Ie2=E/Re=15

基极电流=（15-0.7）/475K=0.03mA集电极电流=基极电流*β=0.03mA*50=1.5mAUCEQ=15V-3K*1.5mA=10.5V

BJT晶体管的三个电流,绝对值最小的那个是基极电流,最大的那个是发射极电流,居间的是集电极电流.这里①脚电流绝对值为|I1|=1.2mA,居于另外两个0.02mA和1.22mA之间,故①脚为C集电极

1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.

(1)“=1V”应该是Ueq吧.Rc=(Vcc-Ucq)/Icq=(9-4)/2=2.5kΩIeq=Icq*(1+β)/β=2*51/50=2.04mARe=Ueq/Ieq=1/2.04=0.490k

这个简单,看电容的位置就可以区分出来.从输出耦合电容的位置,可以明显区分出共集电极和共射极电路；如果电容从集电极上引出就是共射极电路；如果是从发射极引出就是共集电极电路；而共基极电路中明显的区别是基极