电位移电荷面密度
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/08/19 07:39:42
![电位移电荷面密度](/uploads/image/f/6325274-2-4.jpg?t=%E7%94%B5%E4%BD%8D%E7%A7%BB%E7%94%B5%E8%8D%B7%E9%9D%A2%E5%AF%86%E5%BA%A6)
△q=电荷面密度*△s=电荷体密度*△v在一个微元的情况时,△v=△s*△r所以电荷面密度*△s=电荷体密度*△s*△r所以电荷面密度=电荷体密度*△
鍦ㄥ甫鐢典綋涓煇镣瑰懆锲村彇灏忎綋鍏冿紝璁惧唴镄勭数钻蜂负锛屽垯p=dq/dV,P=拢拢拢pdV.
英文读法为:sigma;中文为:西格玛.
书上错了,右面分母漏了一个真空介电常数ε0,应为σ/ε0
这个没有办法用高斯定理做,假设用高斯,首先要做个闭合的面,这个面只能是个球面(别的面就更复杂了),而这个球面上的场强肯定是大小不均的,你又不能用电量除以面积积分得场强.要求解的话,要积分,把半球面细分
把半球面看作许多圆环,积分即可没有必要在这问这些问题,把教材静电场例题及课后题做会就行了前提是会点微积分知识
每一个“无限大”均匀带电平面,在空间产生的电场强度为σ/(2ε0),三个平面把空间分成四部分,根据场强叠加原理,四部分空间的场强从左到右分别是:3σ/(2ε0),方向向左;σ/(2ε0),方向向左;σ
1、先由高斯定理求出电场分布,然后求出球心的电势,用e0表示真空介电常数,用p0表示电荷面密度,:U=(p0/e0)*[(R1^2+R2^2)/R2+R1^2*(1/R1-1/R2)]=300,即可以
教材上有详细的证明.在静电场中的电介质部分.因为符号及图太复杂,这里没有办法写出来.
面密度不趋于无穷大的话,线密度就趋于0.所以这个问题是不会出现的.
这个就是圆盘(有宽度的圆环)的dq吧2πr是每层的圆周dr就是它的宽度从零到r就是圆盘
D=eE.这里e代表介电常数,是相对介电常数和真空介电常数的积,是个和物质有关的量.所以只要求E就行了.根据高斯定理E=d/(2e0)这里d为电荷面密度,e0为真空介电常数.
1.从场强产生的原因来说,电荷越多越密集,产生的场强就越强.2.从电容的角度来说,U=Q/C,电容一定,电荷的面密度越大,电荷量越大,U越大,再根据U=Ed可知,场强越大.
靠近A的面为-a,背离A的面为+a.看这个答案的分布,基本选A再问:答案是b再答:晕,对不住了,我指导错了,应该是电场连续,A形成的电场在再答:B的位置也是连续的,B是等势体,内部场强为0,因此B中电
取高斯面S,ES=4πkOS/ε,E=4πkO/εls的单位ms不对.
D是为了更加方便的描述电场而定义的物理量.没有实在的物理意义,是一种数学上的含义.D的通量指的是D对曲面的积分,可以狭隘的理解成D乘以S(面积).所以应该是D对曲面的积分就是面内电荷的总量.你最后说的
极化面电荷密度是极化强度散度的相反数,也就是(极化面电荷密度)=-div(极化强度)
内部静电屏蔽了
因为2个概念不一样的.吧,,这问题好BT
高数厉害的话可以用积分算.不想用积分可以用高斯定理.做一个圆柱状的高斯面,上顶面和下底面距离带电平面距离相等,设为h,上下面的面积记为S.由对称性,电场一定垂直于带电平面,且上下对称.2*E*S=σS