齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场
来源:学生作业帮 编辑:百度作业网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/08/10 22:33:06
齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场
在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿.
耗尽层宽了是不是产生的电场就弱了?
在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿.
耗尽层宽了是不是产生的电场就弱了?
当PN结反向偏压时,电场是被加宽与电场的外部电场的作用下的耗尽区中的方向一致,以使势垒加强; PN结正向偏置,内部电场E削弱屏障宽度减小,这将帮助更多的孩子迅速蔓延正向电流I上升与外加电压的增加,PN结显示为一个小电阻.
再问: 谢谢回答!那掺杂浓度较低,耗尽层较宽,低反向电压为什么不会发生齐纳击穿?
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齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场
PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义:在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏
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