百度作业网pn结反向饱和电流到底是怎么形成的,它的大小跟哪些因素有关?
来源：学生作业帮 编辑：百度作业网作业帮 分类：物理作业 时间：2024/07/31 02:42:04
pn结反向饱和电流到底是怎么形成的,它的大小跟哪些因素有关?
这个我知道的,昨天在书上又看到,这个反向饱和电流还跟V[D]有关（中括号内为下标）,又有书上说,跟温度有很大关系!
我想知道它与V[D]有关的一些资料,还有,其中的”饱和”有什么含义?
这个我知道的,昨天在书上又看到,这个反向饱和电流还跟V[D]有关（中括号内为下标）,又有书上说,跟温度有很大关系!
我想知道它与V[D]有关的一些资料,还有,其中的”饱和”有什么含义?
跟Vd有关是因为随着反向电压的增大,势垒抬高,耗尽层变宽,所以被反向抽走的电子和空穴就会增加,所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定.但是对于硅pn结,反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A,一般都很小,即使有所增大也不会达到质的变化.所以可称为饱和,饱和的含义就是再怎么增大电压,电流增大的不多的意思.
当然和温度有关,因为所有的半导体的性质都和温度有关,这个就不必说了,
具体的公式和详细的解释可以参考《半导体物理》和《晶体管原理》等书.
当然和温度有关,因为所有的半导体的性质都和温度有关,这个就不必说了,
具体的公式和详细的解释可以参考《半导体物理》和《晶体管原理》等书.