如图所示,水平放置的U形导电框架上接有电阻R,导线ab能在框架上无摩擦地滑动,竖直向上的匀强磁场竖直穿过框架平面,当ab
来源:学生作业帮 编辑:百度作业网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/07/22 22:51:50
如图所示,水平放置的U形导电框架上接有电阻R,导线ab能在框架上无摩擦地滑动,竖直向上的匀强磁场竖直穿过框架平面,当ab匀速向右移动时,以下判断错误的是( )
A. 导线ab除受拉力作用外,还受到磁场力的作用
B. ab移动速度越大,所需拉力也越大
C. ab移动速度一定,若将电阻增大些,则拉动ab的力可小些
D. 只要使ab运动并达到某一速度后,撤去外力,ab也能在框架上维持匀速直线运动
![](http://img.wesiedu.com/upload/2/06/20633921dbd57add67aa81e260d3d8b8.jpg)
B. ab移动速度越大,所需拉力也越大
C. ab移动速度一定,若将电阻增大些,则拉动ab的力可小些
D. 只要使ab运动并达到某一速度后,撤去外力,ab也能在框架上维持匀速直线运动
![如图所示,水平放置的U形导电框架上接有电阻R,导线ab能在框架上无摩擦地滑动,竖直向上的匀强磁场竖直穿过框架平面,当ab](/uploads/image/z/5379579-27-9.jpg?t=%E5%A6%82%E5%9B%BE%E6%89%80%E7%A4%BA%EF%BC%8C%E6%B0%B4%E5%B9%B3%E6%94%BE%E7%BD%AE%E7%9A%84U%E5%BD%A2%E5%AF%BC%E7%94%B5%E6%A1%86%E6%9E%B6%E4%B8%8A%E6%8E%A5%E6%9C%89%E7%94%B5%E9%98%BBR%EF%BC%8C%E5%AF%BC%E7%BA%BFab%E8%83%BD%E5%9C%A8%E6%A1%86%E6%9E%B6%E4%B8%8A%E6%97%A0%E6%91%A9%E6%93%A6%E5%9C%B0%E6%BB%91%E5%8A%A8%EF%BC%8C%E7%AB%96%E7%9B%B4%E5%90%91%E4%B8%8A%E7%9A%84%E5%8C%80%E5%BC%BA%E7%A3%81%E5%9C%BA%E7%AB%96%E7%9B%B4%E7%A9%BF%E8%BF%87%E6%A1%86%E6%9E%B6%E5%B9%B3%E9%9D%A2%EF%BC%8C%E5%BD%93ab)
A、因棒AB向右运动,电路中产生感应电流,磁场中的电流受到安培力的作用,故A正确;
B、棒AB向右运动产生的电动势:E=BLv,感应电流:
E
R+r,安培力为:F=BIL=
B2L2v
R+r,由于导体棒做匀速运动,拉力等于安培力,所以导线ab移动速度越大,所需拉力越大.故B正确;
C、由b中的公式可得,导线ab移动速度一定,若将电阻阻值R增大,则拉动导线的力可减小.故C正确;
D、使ab运动并达到某一速度后,撤去外力,ab受到安培力作用而做减速运动,最后静止,故D错误;
本题选错误的,故选:D.
B、棒AB向右运动产生的电动势:E=BLv,感应电流:
E
R+r,安培力为:F=BIL=
B2L2v
R+r,由于导体棒做匀速运动,拉力等于安培力,所以导线ab移动速度越大,所需拉力越大.故B正确;
C、由b中的公式可得,导线ab移动速度一定,若将电阻阻值R增大,则拉动导线的力可减小.故C正确;
D、使ab运动并达到某一速度后,撤去外力,ab受到安培力作用而做减速运动,最后静止,故D错误;
本题选错误的,故选:D.
如图所示,水平放置的U形导电框架上接有电阻R,导线ab能在框架上无摩擦地滑动,竖直向上的匀强磁场竖直穿过框架平面,当ab
固定在水平桌面上的金属框架cdef处在竖直向下的匀强磁场中,金属棒ab搁在框架上,可无摩擦地滑动.此时abed构成一个边
"固定于水平桌面上的金属框架cdef,处在竖直向下的匀强磁场中,金属棒ab放置在框架上.
宽度L=1m的足够长的形金属框架水平放置,框架处在竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度B=1T,框架导轨上放置一根质量m=0
固定于水平桌面上的金属框架cdef,处在竖直向下的匀强磁场中,金属棒ab搁在框架上,无摩擦,此时adcb构成一个边长为l
如图所示,导体ab、cd垂直放在水平放置的平行导轨上,匀强磁场方向竖直向上穿过导轨所在平面,导体与导轨间动摩擦因数为μ.
如图所示,在一个光滑金属长方形框架上垂直放置一根长a的金属棒AB,其电阻r,框架左端的灯泡的电阻为R,垂直框面的匀强磁场
光滑导电圆环轨道竖直固定在匀强磁场中,磁场方向与轨道所在平面垂直,导体棒ab的两端可始终不离开轨道无摩擦地滑动,当ab由
16.如图10所示:宽度L=1m的足够长的U形金属框架水平放置,框架处在竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度B=1T
在范围足够大,方向竖直向下的匀强磁场中,B=0.2T,有一水平放置的光滑框架,宽度为L=0.4m,如图所示,框架上放置一
如图所示,光滑的“U”形金属框架静止在水平面上,处于竖直向下的匀强磁场中.现使ab棒突然获得一初速度V向右运动,下列说法
如图所示,在磁感应强度大小B=0.5T的匀强磁场中,有一竖直放置的导体框架,框架宽l=0.4m,框架上端的电阻