百度作业网单晶炉采用哪种拉制方法拉制单晶?
来源：学生作业帮 编辑：百度作业网作业帮 分类：综合作业 时间：2024/07/16 06:47:46
单晶炉采用哪种拉制方法拉制单晶?
1、区熔法(FZ) 【1】
为了防止由于熔体与坩埚间的化学反应造成的污染而发展起来的无增埚晶体生长工艺,称为区熔法.其基本构造如图1-1所示.垂直安装一根多晶体棒,用水冷射频感,使应加热使棒的一端熔化.依靠熔体的表面张力和电场产生的悬浮力,使熔体与晶棒粘附在一起.把一根经过定向处理的籽晶端部侵入熔体,利用加热器与晶体熔体的相对运动使多晶棒不断地熔化,而另一侧逐渐生成晶体.这种方法虽然生长的晶体不会受坩埚的污染,但是,该方法仅适用于熔体表面张力系数大的晶体生长.
2、直拉法(CZ)
直拉法又称“恰克拉斯基法”（Czochralski）法,简称CZ法.是生长单晶硅的主要方法.该法是在直拉法(CZ)单晶炉内,将原料（多晶硅）装在一个坩埚中使其加热至熔融状,向熔硅中引入籽晶,籽晶夹在提拉杆的下端,控制温度合适.当籽晶和熔硅达到平衡时,熔液会靠着表面张力的支撑吸附在籽晶的下方.此时边旋转边提拉籽晶,这些被吸附的熔体也会随着籽晶往上运动.向上运动的过程中熔体温度下降,将使得熔体凝结成晶且随着籽晶方向生长成单晶棒.直拉法硅单晶生长设备结构示意图如图1-2所示.
为了防止由于熔体与坩埚间的化学反应造成的污染而发展起来的无增埚晶体生长工艺,称为区熔法.其基本构造如图1-1所示.垂直安装一根多晶体棒,用水冷射频感,使应加热使棒的一端熔化.依靠熔体的表面张力和电场产生的悬浮力,使熔体与晶棒粘附在一起.把一根经过定向处理的籽晶端部侵入熔体,利用加热器与晶体熔体的相对运动使多晶棒不断地熔化,而另一侧逐渐生成晶体.这种方法虽然生长的晶体不会受坩埚的污染,但是,该方法仅适用于熔体表面张力系数大的晶体生长.
2、直拉法(CZ)
直拉法又称“恰克拉斯基法”（Czochralski）法,简称CZ法.是生长单晶硅的主要方法.该法是在直拉法(CZ)单晶炉内,将原料（多晶硅）装在一个坩埚中使其加热至熔融状,向熔硅中引入籽晶,籽晶夹在提拉杆的下端,控制温度合适.当籽晶和熔硅达到平衡时,熔液会靠着表面张力的支撑吸附在籽晶的下方.此时边旋转边提拉籽晶,这些被吸附的熔体也会随着籽晶往上运动.向上运动的过程中熔体温度下降,将使得熔体凝结成晶且随着籽晶方向生长成单晶棒.直拉法硅单晶生长设备结构示意图如图1-2所示.
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